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J-GLOBAL ID：200903092590418410

光半導体装置

Inventor： 花谷 昌一 ,  中村 均
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991052515
Publication number (International publication number)：1993129638
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光ファイバ、ロットレンズ等の光導体と結合が容易でかつ広帯域特性を持つ光半導体装置を得る。【構成】 半導体基板(2)上に光入力又は光出力方向が積層方向にたいし垂直である光電変換領域(3、4、5)を積層した光半導体装置において、上記基板(2)の光結合部に外部光導体端部(14)と密着挿入可能な整合光結合用穴(0)を設けた。【効果】 光半導体装置と外部光導体とのアライメントが簡単となり、素子加工工程、モジュール化工程での生産時間、調整時間の短縮及び歩留まりが向上する。また外部光導体低下がロットレンズ、先端加工レンズのとき、光半導体装置の広帯域化が容易となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層され、光入力又は光出力方向が積層方向にたいし垂直である光電変換領域を有する半導体積層構造において、上記基板の光結合部に外部光導体端部と密着挿入可能な整合光結合用穴を設けたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (4)：

H01L 31/0232 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 31/02 C ,  H01L 31/10 A