Pat

J-GLOBAL ID：200903092617277759

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 御代田 彰 ,  黒川 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994117808
Publication number (International publication number)：1995326596
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板に分割領域を形成する際にその分割領域の形成に起因する異物を低減する。【構成】 半導体基板1a上の最上の絶縁膜にボンディングパッド領域6b2 が露出するような接続孔を形成する際に、半導体基板1aを個々のチップ領域Aに分割するためのスクライビング領域Bにそれまで除去されないで堆積されていた絶縁膜3a〜3dを同時に除去するようにした。

Claim (excerpt)：

所定の半導体集積回路装置が形成された複数のチップ形成領域を備える半導体基板上に、個々のチップ領域を分割するために半導体基板の表面が露出される分割領域を形成する際に、前記半導体集積回路装置を構成する複数の配線層の数よりも少ないエッチング処理工程で、その分割領域における絶縁層を除去する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S