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J-GLOBAL ID：200903092643377044
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298515
Publication number (International publication number)：1994151701
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 量産性に優れ、チップオンチップデバイスの製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 個別に切断される前のウェハ状態の複数個の半導体基板2上に半導体チップ1を実装し、その後、半導体基板2を個別に切断する。
Claim (excerpt)：
半導体基板と上記半導体基板上に実装された半導体チップとを含む半導体装置の製造方法において、個別に切断される前のウェハ状態の複数個の半導体基板上に半導体チップを実装し、その後、上記半導体基板を個別に切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
