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J-GLOBAL ID：200903092652916861

波長可変半導体レーザ

Inventor： 阪田 康隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993212959
Publication number (International publication number)：1995066493
Application date： Aug. 27, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 波長可変半導体レーザの発振波長制御領域(チューニング層)内部において、電子とホールを、各々光フィールドの強い位置と弱い位置へ空間的に分離することにより、波長可変動作時における光吸収損失の増加を低く抑える。それにより、波長可変幅の拡大と光出力の向上を図る。【構成】 チューニング層10のおいて、キャリア濃度の高い層13と低い層14とを設け、層10内でキャリア濃度を変化させることにより、チューニング層10内部で電位分布を発生させる。この電位分布により、注入された電子とホールとが空間的に分離される。このとき、電子を光フィールドの強い位置に、ホールを光フィールドの弱い位置に分布するようチューニング層10のキャリア濃度分布を構成することで、波長可変動作時における光吸収損失の増加が低減され、その結果として波長可変幅の拡大と光出力の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

活性層近傍の導波路に発振波長制御領域を備え、該発振波長制御領域へ注入する電流により該発振波長制御領域の屈折率を変化させ、発振波長を制御する電流注入型波長可変半導体レーザにおいて、前記発振波長制御領域の層構造が、第一導電型の第1の半導体層と、この第一の半導体層より低い電荷濃度の第一導電型の第2の半導体層との二層積層構造であることを特徴とする波長可変半導体レーザ。