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J-GLOBAL ID：200903092658466337

多結晶シリコン膜の形成方法

Inventor： 石田 聡 ,  中谷 紀夫 ,  佐野 景一 ,  米田 清
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999059214
Publication number (International publication number)：2000260713
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 より低温で、ガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 ガラス基板1上に100nm以上の間隔をあけて結晶核2を形成し、これをエピタキシャル成長させてポリシリコン膜6を形成する。粒径Rは、結晶核2の間隔(100nm以上)になるため、より高品質なポリシリコン膜となる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に所定間隔以上の間隔を開けてシリコンの結晶核を複数形成し、前記結晶核をエピタキシャル成長させて所定大きさ以上の粒径のグレインを有する多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

F-Term (26)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF07 ,  5F045AF20 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA51 ,  5F045DA61 ,  5F045DB02 ,  5F045EK12 ,  5F045EK17 ,  5F045EK20 ,  5F045HA12 ,  5F045HA17 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭63-107016
  
• 特開昭61-053719
  
• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-011069   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-060026
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-344959   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-293668
  
• 特開平2-130817
  
• 電界効果トランジスター及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321465   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコン選択成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-293297   Applicant：日本電気株式会社