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J-GLOBAL ID：200903092662545578
波長可変半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116556
Publication number (International publication number)：1995326820
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 狭いスペクトル線幅のレーザ光を出射でき、波長可変幅の広い波長可変半導体レーザ装置を得る。【構成】 電界印加型のTTG構造波長可変半導体レーザ装置において、共振器端面を非対称コーティングしてその反射率を前端面と後端面とで異なるものとするとともに、チューニング層8に電界を印加する電極を共振器長方向に複数に分割されたもの(12a,12b)とし、それぞれの電界印加用電極に、電界印加により共振器全体で生じる吸収損失がこれら電極により印加する電界の総和の大きさに関わらず一定となるように、電圧が与えられる構成とした。【効果】 電界印加による吸収損失増大によって負の屈折率変化が生じることを防止でき、波長可変幅を広くすることができる。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板上に配置され、電流注入により光を発生する半導体活性層と、上記半導体活性層との間に第2導電型の半導体スペーサ層を挟んで積層され、電界が印加されることによる屈折率変化により、レーザの発振波長を可変とする半導体チューニング層と、上記半導体活性層及び半導体チューニング層の両端に、相互に対向して設けられた前端面と後端面の反射率が相互に異なる一対の共振器端面と、上記半導体チューニング層に電界を印加する、共振器長方向に複数に分割された第1導電側の電界印加用電極と、上記半導体活性層に電流を注入する第1導電側の電流注入用電極と、上記半導体スペーサ層に電気的に接続された、上記第1導電側の電界印加用電極,及び上記第1導電側の電流注入用電極と対となる第2導電側の共通電極とを備えたことを特徴とする波長可変半導体レーザ装置。
IPC (2)：
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