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J-GLOBAL ID：200903092669622080

金メッキ電極の形成方法、基板及びワイヤボンディング方法

Inventor： 土師 宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995031223
Publication number (International publication number)：1996227911
Application date： Feb. 20, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 無電解メッキ法により十分な接合性を有する金メッキ電極を形成できる金メッキ電極の形成方法、基板及びワイヤボンディング方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1に銅箔を形成するステップと、銅箔上にニッケルを含むバリアメタル層2bを形成するステップと、バリアメタル層2b上に置換型無電解メッキ法により薄い金層2cを形成するステップと、基板1を加熱することにより、金層2cに存在するニッケルを金層2cの表層部に集め、金層2c内の純度を高め、金層2cの表層部にニッケルの化合物を析出させるステップと、金層2cの表層部に析出したニッケルの化合物を取り除いて、その下層にある純度が高められた金層2cを露呈させるステップとを含む。

Claim (excerpt)：

基板に回路パターンを形成するステップと、前記回路パターンの電極となる部分にニッケルを含むバリアメタル層を形成するステップと、前記バリアメタル層上にメッキ法により金層を形成するステップと、基板を加熱することにより、前記金層に存在するニッケルを前記金層の表層部に集め、前記金層内の純度を高め、前記金層の表層部にニッケル又はニッケルの化合物を析出させるステップと、前記金層の表層部に析出したニッケル又はニッケルの化合物を取り除いて、その下層にある純度が高められた金層を露呈させるステップと、を含むことを特徴とする金メッキ電極の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/288 ,  H05K 3/24

FI (3)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/288 M ,  H05K 3/24 A