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J-GLOBAL ID：200903092672736800

MOS型固体撮像装置

Inventor： 田中 長孝 ,  大場 英史 ,  宮川 良平 ,  佐々木 道夫 ,  馬淵 圭司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997253344
Publication number (International publication number)：1999097662
Application date： Sep. 18, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は斜めの有効光が入った時でも遮光膜で反射されにくい遮光膜構造を備えた固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板(101) 上に形成される光電変換蓄積領域(102) と、光電変換蓄積領域上にシリコン酸化膜を介して形成され、増幅トランジス夕とリセットトランジスタに接続される電源線(107) 並びに増幅トランジスタの電流を読み出す複数の垂直信号線(106) とを備え、複数のメタル層の最下層であり、電源線及び垂直信号線を形成するメタル層が遮光膜の役割を果たす。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、光電変換蓄積部と、この光電変換蓄積部以外に光が入射するのを防ぐ遮光膜と、前記光電変換蓄積部の出力を制御電極に入力する増幅トランジスタと、信号を読み出すラインを選択する垂直選択トランジスタと、前記光電変換蓄積部の電位をリセットするリセットトランジスタによって各々が構成される複数の単位セルを行列に配列してなる撮像領域と、前記増幅トランジス夕と前記リセットトランジスタに接続される電源線と、前記増幅トランジスタの電流を読み出すため列方向に配置された複数の垂直信号線と、前記垂直信号線の一端に設けられた複数の水平選択トランジスタと、前記水平選択トランジスタのゲートに順次選択パルス信号を与える水平選択手段と、前記水平選択トランジスタを介して前記垂直信号線から信号電流を読み出す水平信号線とを備えた固体撮像装置において、複数のメタル層の最下層であり、前記電源線および前記垂直信号線の少なくとも一方を形成するメタル層が前記遮光膜として機能することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭60-058779
  
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042357   Applicant：株式会社ニコン
• 光電変換素子及び光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-033833   Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (4)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042357   Applicant：株式会社ニコン
• 特開昭60-058779
  
• 光電変換素子及び光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-033833   Applicant：株式会社ニコン
• 特開昭60-058779