Pat

J-GLOBAL ID：200903092672921438

半導体装置

Inventor： 長谷川 勝彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000397227
Publication number (International publication number)：2002198476
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来マイクロ波、ミリ波帯の高周波電力増幅器の放熱対策として、フリップチップ実装を活用した放熱構造があるが、近年の高周波化、高密度化、大電力化による発熱密度の増加に対して、実装面積を増加させること無く、放熱能力を高めることが困難であった。【解決手段】 少なくとも1つの集積回路チップ1がフリップチップ実装された回路基板5と、その回路基板5と組み合わせて集積回路チップ1を外部環境から遮断する封止キャップ7と、さらに放熱装置11を有し、回路基板5と放熱装置11との間に吸熱装置10を配設したことで、十分な吸熱面積を確保し、放熱能力を調整できるようにした。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの集積回路チップがフリップチップ実装された回路基板と、その回路基板と組み合わせて前記集積回路チップを外部環境から遮断する封止キャップを有する半導体装置において、放熱装置と、前記回路基板と前記放熱装置との間に設置された吸熱装置を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/34

FI (2)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/34 A

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB06 ,  5F036BC06 ,  5F036BC23 ,  5F036BE09