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J-GLOBAL ID：200903092674556281

半導体ホール素子

Inventor： 井上 和彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174562
Publication number (International publication number)：1996102563
Application date： Jul. 11, 1995
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【課題】 内部応力に起因するオフセット出力の変動の小さなホール素子を提供する。特にシステムへ実装時のハンダ付け等の熱履歴に対して安定で信頼性の高い高精度ホール素子を提供する。【解決手段】 その主表面の面方位を(110)面に選択された半導体単結晶基板と、この半導体単結晶基板の主表面に形成された活性領域に所定の電流を流す為の1対の入力電流端子と、この電流方向に直角な方向の電位差を測定する為の1対の出力電圧端子とからなる。

Claim (excerpt)：

その主表面を(110)面とする半導体単結晶基板と、前記半導体単結晶基板の主表面である(110)面に形成された不純物領域からなる活性領域と、前記活性領域に所定の電流を流す為の1対の入力電流端子と、前記所定の電流に直角な方向の電位差を測定する為の1対の出力電圧端子とを少なくとも具備することを特徴とする半導体ホール素子。

IPC (2)：

H01L 43/06 ,  G01R 33/07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-240281
  
• 特開昭50-140082
  
• 特開昭62-276834