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J-GLOBAL ID:200903092675638249

高周波集積回路、及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994204955
Publication number (International publication number):1996070061
Application date: Aug. 30, 1994
Publication date: Mar. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 ポッティングによる樹脂封止を行った際にも該微小フタ内部の半導体素子,及び信号線路に樹脂が接触することがなく、集積回路の電気特性の劣化なく半導体素子を保護することができ、かつ安価な高周波集積回路を得ることを目的とする。【構成】 集積回路基板7a上に、半導体素子11を囲むよう、該集積回路基板7aに対し垂直な方向に直立するよう、かつ一定の高さを有するように微小壁10を設け、該微小壁により形成される,上記半導体素子を囲む空間を密封するように微小フタ15を設けてなる構造とした。
Claim (excerpt):
高周波集積回路において、その上面に半導体素子を形成してなる集積回路基板と、該集積回路基板上の半導体素子の上部を覆うように形成された微小フタとを備えたことを特徴とする高周波集積回路。
IPC (3):
H01L 23/04 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 23/12

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