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J-GLOBAL ID：200903092679044882

成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法

Inventor： 吉川 正弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995076982
Publication number (International publication number)：1996269707
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 15, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ソフマック表面の不純物層を除去するために行われるプレスパッタ工程に要する時間の短縮化を図るとともに、成膜されたソフマック薄膜中の不純物量を抑える。【構成】 ターゲット材として使用されるソフマック合金の表面に存在する不純物層(有機物を主成分とする汚染物質層及び酸化層)の厚みを10nm以下とする。上記ソフマック合金をターゲットとして用いたスパッタリングを行うに際し、該ソフマック合金の表面が人工ダイヤモンド等により表面仕上げされることが望ましい。

Claim (excerpt)：

スパッタリング法により成膜を行うに際し、ターゲット表面の不純物層の厚みを10nm以下とすることを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/23

FI (4)：

C23C 14/34 P ,  C23C 14/34 A ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/23 K