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J-GLOBAL ID：200903092699537516

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
持田 篤範

About 持田 篤範

, 
大西 俊一

About 大西 俊一


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000223647
Publication number (International publication number)：2002043697
Application date： Jul. 25, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 優れた信頼性を有する半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】 基板30上に配置された第1半導体レーザ構造10と、第1半導体レーザ構造10上に配置され、第1半導体レーザ構造10の発振波長と異なる発振波長を有する第2半導体レーザ構造20と、第2半導体レーザ構造20の側面20aを被覆する絶縁膜50とを備えた半導体レーザ装置100である。
Claim (excerpt)：
基板上に配置された第1半導体レーザ構造と、前記第1半導体レーザ構造上に配置され、前記第1半導体レーザ構造の発振波長と異なる発振波長を有する第2半導体レーザ構造と、前記第2半導体レーザ構造の側面を被覆する絶縁膜とを備えた、半導体レーザ装置。
IPC (5)：
H01S 5/40 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/327 ,  H01S 5/343
FI (5)：
H01S 5/40 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/327 ,  H01S 5/343
F-Term (15)：
5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭64-025589
  • 特開平1-272178
  • 特開平4-032288
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