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J-GLOBAL ID：200903092704319484

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 岡本 直哉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000147902
Publication number (International publication number)：2001332718
Application date： May. 19, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。【解決手段】 電界効果型化合物半導体装置のゲートリセス領域を化合物半導体層を液相中で酸化した化合物半導体層の酸化物層1で構成するとともに、化合物半導体層の酸化物層1を貫通するゲート電極2を形成する。

Claim (excerpt)：

ソースドレイン間に化合物半導体の酸化物層を設けるとともに、前記化合物半導体の酸化物層を貫通するゲート電極を設けたことを特徴とするリセス酸化型電界効果型化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (4)：

H01L 21/28 G ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

F-Term (34)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB10 ,  4M104CC03 ,  4M104DD15 ,  4M104DD68 ,  4M104EE10 ,  4M104EE14 ,  4M104GG12 ,  4M104HH00 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN01 ,  5F102GN04 ,  5F102GN05 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GS03 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10