半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997150292
Publication number (International publication number)：1998326940
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】エッチング深さの制御性が良好で製造が容易なIII族窒化物材料系の半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板101上に、GaNバッファ層102,n型GaNコンタクト層103,n型Al0.15Ga0.85Nクラッド層104,In0.05Ga0.95N活性層105,p型In0.07Ga0.6Al0.33Nエッチングストップ層106,p型Al0.15Ga0.85Nクラッド層107,p型GaNコンタクト層108が順次に積層されている。なお、109はp型GaNコンタクト層108上に形成されたp側電極であり、110はn型GaNコンタクト層103上に形成されたn側電極である。

Claim (excerpt)：

n型クラッド層とp型クラッド層とに活性層が挾まれた構造が基板上に積層されたIII族窒化物材料系半導体発光素子において、Inを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなるエッチングストップ層が活性層の近傍に積層されており、上記エッチングストップ層の表面までInを含まないIII族窒化物材料からなる層をエッチングしてストライプ構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057684 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202479 Applicant：ローム株式会社
導波路型光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-021474 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page