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J-GLOBAL ID：200903092706572861
多層セラミック配線基板とその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991049702
Publication number (International publication number)：1994053652
Application date： Mar. 14, 1991
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高速LSI素子を実装するための多層セラミック配線基板において、信号の伝搬スピードを速くする。【構成】 セラミック基板内に三次元的に形成されている内層の導体配線(グランド層2,信号層3)近傍のみに空洞8を形成することにより、周辺の誘電体のみ比誘電率を下げ、効率的に信号スピードをアップできる。
Claim (excerpt)：
セラミック基板内に三次元的に導体配線が形成されている多層セラミック配線基板であって、内層導体配線の近傍のみに選択的に空洞を形成したものであることを特徴とする多層セラミック配線基板。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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