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J-GLOBAL ID：200903092707826158
デユアルエネルギ半導体センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154482
Publication number (International publication number)：1993003336
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 センサ自体でデュアルピークを収集可能で、線量が多くなっても従来の方式に比して正確にデュアルピークを収集することのできる半導体センサを提供する。【構成】 放射線検出用の半導体をそれぞれの厚さ方向に2層に積層し、その重ね合わせ面と、各半導体の重ね合わせ面に対向する面にそれぞれ電極層を形成することにより、2種のエネルギの放射線の検出信号を異なる電極から個別に取り出せるようにする。
Claim (excerpt)：
放射線検出用の半導体が、それぞれの厚さ方向に2層に積層され、かつ、その重ね合わせ面と、各半導体の当該重ね合わせ面に対向する面にはそれぞれ電極層が形成されてなるデュアルエネルギ半導体センサ。
IPC (2)：
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