Pat
J-GLOBAL ID:200903092710737557
カーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
磯野 道造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004137261
Publication number (International publication number):2004336054
Application date: May. 06, 2004
Publication date: Nov. 25, 2004
Summary:
【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子の電極120表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面122上に絶縁層130を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール132を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ140を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。【選択図】図1D
Claim (excerpt):
(a1)半導体素子の電極表面を前処理して活性化させる段階と、
(b1)前記電極の活性化された表面上に絶縁層を形成した後、前記電極の活性化した表面の一部を露出させるために前記絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する段階と、
(c)前記コンタクトホールを通じて前記電極の活性化された表面に炭素含有ガスを供給して、前記電極の活性化された表面からカーボンナノチューブを成長させて配線を形成する段階と、を具備することを特徴とする半導体素子の配線形成方法。
IPC (8):
H01L21/3205
, C01B31/02
, H01L21/28
, H01L21/285
, H01L21/336
, H01L21/768
, H01L27/10
, H01L29/78
FI (9):
H01L21/88 M
, C01B31/02 101F
, H01L21/28 A
, H01L21/28 301Z
, H01L21/285 C
, H01L27/10 448
, H01L21/90 A
, H01L29/78 301X
, H01L29/78 301Y
F-Term (102):
4G146AA11
, 4G146AC19B
, 4G146AD30
, 4G146BA08
, 4G146BA09
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC33B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4M104AA01
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD22
, 4M104DD28
, 4M104DD43
, 4M104DD45
, 4M104DD46
, 4M104DD81
, 4M104FF13
, 4M104FF21
, 4M104GG09
, 4M104GG16
, 4M104HH14
, 5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH13
, 5F033HH15
, 5F033HH16
, 5F033HH19
, 5F033JJ00
, 5F033JJ36
, 5F033KK01
, 5F033KK03
, 5F033KK07
, 5F033KK13
, 5F033KK15
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, 5F033LL01
, 5F033MM05
, 5F033NN38
, 5F033PP03
, 5F033PP06
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, 5F033PP15
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, 5F033QQ00
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ16
, 5F033QQ37
, 5F033QQ53
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, 5F033WW03
, 5F033XX03
, 5F033XX08
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, 5F140BJ11
, 5F140BJ13
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, 5F140BK24
, 5F140BK26
, 5F140BK28
, 5F140BK29
, 5F140BK31
, 5F140CC03
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