Pat

J-GLOBAL ID：200903092716773695

半導体光素子

Inventor： 今泉 充
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995095774
Publication number (International publication number)：1996264825
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体光素子において、発光効率あるいは光電変換効率を実用可能な程度に向上させる。【構成】 発・受光層として量子ドットを含む層を複数積層して発・受光素子を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体発・受光素子において、その発・受光層として、大きさが電子のドブロイ波長程度の断面寸法を持つ半導体からなる量子ドットと、この量子ドットを囲み、ポテンシャルエネルギーが前記量子ドットのポテンシャルエネルギーよりも高くエネルギー障壁として機能する半導体を有する層を複数層有する半導体光素子。