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J-GLOBAL ID：200903092718395264

銅前駆体混合物、およびそれを用いるCVD銅の形成方法、並びに被着性銅導体インターフェース

Inventor： トウエ ヌエン ,  千崎 佳秀 ,  小林 正人 ,  ローレンス ジョエル チャレンスキー ,  シェン テン スー
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997206237
Publication number (International publication number)：1998140352
Application date： Jul. 31, 1997
Publication date： May. 26, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 蒸着されたCuの抵抗率を損ねることなく、Cuの蒸着率が改善される、集積回路の表面にCVD銅を形成する方法を提供する。【解決手段】 CVD銅を形成する方法は、環境チャンバ54内部に位置する集積回路(IC)60の選択された表面62上に、CVD銅を形成する方法であって、a)該Cuを受け取る表面62を、該チャンバ54に導入され、該チャンバ圧に寄与する揮発性Cu(hfac)TMVS(銅ヘキサフルオロアセチルアセトネートトリメチルビニルシラン)前駆体に曝す工程と、b)同時に、該Cuを受け取る表面62を、該チャンバ圧の概して0.3〜3%の範囲の圧力で該チャンバ54に導入された水蒸気に曝す工程と、c)該工程a)および該工程b)に応じて該Cuを受け取る表面62上にCuを蒸着させる工程と、を包含している。

Claim (excerpt)：

チャンバ圧を有する、ウォールで囲まれた環境チャンバ内部に位置する集積回路(IC)の選択された領域上の、銅(Cu)を受け取る表面を含む該集積回路の選択された表面上に、CVD銅(Cu)を形成する方法であって、a)該Cuを受け取る表面を、該チャンバに導入され、該チャンバ圧に寄与する揮発性Cu(hfac)TMVS(銅ヘキサフルオロアセチルアセトネートトリメチルビニルシラン)前駆体に曝す工程と、b)該工程a)と同時に、該Cuを受け取る表面を、該チャンバ圧の概して0.3〜3%の範囲の圧力で該チャンバに導入された水蒸気に曝す工程と、c)該工程a)および該工程b)を継続して行いながら、該工程a)および該工程b)に応じて該Cuを受け取る表面上にCuを蒸着させる工程と、を包含しており、該工程b)で示された量の水分を該前駆体に添加することにより、Cuの蒸着レートおよび蒸着したCuの電導性を高める、CVD銅を形成する方法。

IPC (6)：

C23C 16/18 ,  C01G 3/00 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/60 301

FI (6)：

C23C 16/18 ,  C01G 3/00 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/60 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平3-110842
  

Cited by examiner (1)

• 特開平3-110842