紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001021505
Publication number (International publication number)：2001257207
Application date： Jan. 30, 2001
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 UV硬化工程と低誘電率膜を形成するツールが提供される。【解決手段】半導体製造工程で低誘電率膜を形成する工程とシステムが開示される。最初、カーボン・ドープ酸化シリコン膜が、半導体ウエハの上に堆積される。ついで、紫外線(UV)エネルギーなどの光エネルギーが、被堆積膜に照射されて膜を硬化する。1つの実施例では、光エネルギーの少なくとも30%が可視光を上回る周波数である。好適な実施例では、光エネルギーのウエハへの照射はウエハを著しく加熱しない。本発明はさらに、誘電体膜の形成と硬化に適するクラスタ・ツールまたはシステムを企図する。クラスタ・ツールは、オルガノシラン源に結合される第1チャンバと、第2チャンバ内で受け取られるウエハに光エネルギーを照射するように構成される第2チャンバと、第1チャンバと第2チャンバ間のウエハの移動を制御するのに適したロボット・セクションとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの上にlowk誘電体層を形成する工程であって:前記半導体ウエハの上にカーボン・ドープ酸化シリコン膜を堆積する段階;および前記カーボン・ドープ酸化シリコン膜に光エネルギーを照射して、前記光エネルギーの少なくとも30%が、可視光の周波数を上回る周波数である段階;によって構成されることを特徴とする工程。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 X , H01L 21/31 B , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-068830 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068857 Applicant：川崎製鉄株式会社
酸化珪素膜の加熱処理方法および加熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-212031 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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