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J-GLOBAL ID:200903092744307683

多孔質電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森下 武一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991275314
Publication number (International publication number):1993114404
Application date: Oct. 23, 1991
Publication date: May. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ガス透過性がよく、かつ、集電性にも優れた多孔質電極を得る。【構成】 セラミック基板1の上面に多孔質電極2を設ける。多孔質電極2は導電性材料とセラミック基板1の組成物からなり、導電性材料に対する基板組成物の混合比率が電極2の厚み方向に基板1側から連続的に又は段階的に減少している。
Claim (excerpt):
セラミック基板の表面に設けられ、内部に気孔を有する多孔質電極において、導電性材料と前記セラミック基板組成物からなり、かつ、導電性材料に対する基板組成物の混合比率が電極の厚み方向に前記セラミック基板側から連続的又は段階的に減少していることを特徴とする多孔質電極。
IPC (2):
H01M 4/86 ,  H01B 5/16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平1-227362
  • 特開平3-095859
  • 特開平3-194860

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