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J-GLOBAL ID:200903092749064223

合成ダイヤモンド析出用基体の温度調整法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991297891
Publication number (International publication number):1993105584
Application date: Oct. 18, 1991
Publication date: Apr. 27, 1993
Summary:
【要約】【目的】 基体の中心部と外周部の温度勾配を軽減させて析出面積を拡大し、よって高い変換率により高品位のダイヤモンド結晶膜を気相析出することができる合成ダイヤモンド析出用基体の温度調整法を提供する。【構成】 熱プラズマを用いて基体面に合成ダイヤモンドを気相析出するにあたり、基体ホルダーの上面に基体が嵌入する円形凹部を穿設し、該凹部に直径(D)に対する厚さ(T) の比(D/T) を40以下に設定した基体をセットする。または、前記の円形凹部に底面中心部が接触する状態で基体にセットする。
Claim (excerpt):
熱プラズマを用いて基体面に合成ダイヤモンドを気相析出するにあたり、基体ホルダーの上面に基体が嵌入する円形凹部を穿設し、該凹部に直径(D) に対する厚さ(T) の比(D/T) を40以下に設定した基体をセットすることを特徴とする合成ダイヤモンド析出用基体の温度調整法。
IPC (4):
C30B 25/10 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205

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