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J-GLOBAL ID：200903092765430736

ゲート電極の形成方法

Inventor： 吉田 卓克 ,  松村 隆男 ,  芦塚 和昭 ,  金森 幹夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992199344
Publication number (International publication number)：1994045293
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体ショットキーゲート電界効果トランジスタのゲート領域開口時のドライエッチング損傷を回避したゲート電極形成方法を提供する。【構成】半絶縁性の化合物半導体基板1上に形成した化合物半導体からなる動作層2上に第1の絶縁膜7、第2の絶縁膜8を順次積層し、ゲート領域形成部分が開口されたレジスト膜をマスクとして、異方性ドライエッチング方で第2の絶縁膜8に開口を形成した後、第1の絶縁膜7に低損傷または無損傷のエッチング方で開口を形成し、前記開口を含んで電極金属層6を形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性の化合物半導体基板上に形成された化合物半導体からなる動作層上に第1の絶縁膜、第2の絶縁膜を順次積層する工程と、ゲート領域形成部分が開口されたレジスト膜を形成し、該レジスト膜をマスクとして前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜よりエッチング速度の早いエッチングガスを用いて異方性ドライエッチング法によってエッチングして第1の開口を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に形成された前記第1の開口下の前記第1の絶縁膜の部分を前記異方性ドライエッチング法とは異なるエッチング法でエッチングして第2の開口を形成する工程と、前記第1のおよび第2の開口から成る開口部に露出した前記動作層表面を含むゲート領域に電極金属層を形成する工程とを含むことを特徴とするゲート電極の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-244666
  
• 特開平4-061326
  
• 特開平1-107577