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J-GLOBAL ID：200903092792178879

炭化水素合成の最適化プロセス

Inventor： ダイ,ペイ-シン・イー ,  ハリソン,ジェフリィ ,  ノングブリ,ガヴァノン ,  シャー,ラリット ,  ヴァキル,カムレシ・ビイ
Applicant, Patent owner： テキサコ・デベロップメント・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000512796
Publication number (International publication number)：2001517645
Application date： Sep. 23, 1998
Publication date： Oct. 09, 2001
Summary：

【要約】本発明は、粒子状の固体触媒の介在で水素と一酸化炭素とを反応させることによって、水素と一酸化炭素から炭化水素を生成するプロセスである。この反応は、ほぼ不活性の液体媒体と固体の粒子状触媒の介在でガスを反応させるようにした反応容器内で行われる。水素ガスおよび一酸化炭素炭素ガスが反応容器内の複数の位置で誘導される。ガスの気泡は、固体の触媒粒子およびほぼ不活性の液体媒体の層を通って、層の容積をその静容積以上に膨脹させるのに充分な速度で上方に流れる。この速度によって、液体、ガス、および固体の触媒が存在し、運動状態にある乱流反応ゾーンが生成される。

Claim (excerpt)：

粒子状固体触媒と、ほぼ不活性の液体媒体とからなる反応ゾーンで水素と一酸化炭素を反応させることで、水素と一酸化炭素から炭化水素を生成するプロセスであって、 ほぼ不活性の液体媒体と固体の粒子状触媒とを介在させてガスの反応に適する沸騰層の反応容器内の単一の乱流反応ゾーンでガスを反応させ、単数または複数の水素ガスと一酸化炭素ガスからなる前記ガスは、固体の触媒粒子とほぼ不活性の液体媒体からなる反応ゾーンを通って気泡が充分な速度で上方に流れて、層の容積をその静容積以上に膨脹させるように、反応ゾーン内の複数の位置に誘導されることを特徴とするプロセス。

IPC (4)：

C07C 1/06 ,  C07C 9/00 ,  C10G 2/00 ,  C07B 61/00 300

FI (4)：

C07C 1/06 ,  C07C 9/00 ,  C10G 2/00 ,  C07B 61/00 300

F-Term (17)：

4H006AA02 ,  4H006AC29 ,  4H006BA08 ,  4H006BA19 ,  4H006BA20 ,  4H006BA23 ,  4H006BA85 ,  4H006BB11 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BD20 ,  4H006BE20 ,  4H006BE40 ,  4H029CA00 ,  4H029DA00 ,  4H039CA10 ,  4H039CL35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-062531
  
• 特開平1-172346