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J-GLOBAL ID：200903092809603366
イオン発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231258
Publication number (International publication number)：1997080200
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 表面改質や成膜などのために用いられるイオン蒸着薄膜形成装置で好適に用いられるイオン発生装置1において、負イオンの引出を可能とし、前記薄膜形成時におけるチャージアップによる絶縁破壊を未然に防止する。【解決手段】 窒素ガス供給系14から供給された窒素ガスをイオン生成室17内でイオン化するにあたって、ターゲット13の仕事関数を下げるために、オーブン11から供給されたセシウムガスを高周波コイル12によってイオン化し、このセシウムイオンと窒素ガスとをターゲット13で接触させる。このとき、ターゲット13を低温冷却装置35からの冷媒によって窒素ガスの凝固点以下に冷却しておく。したがって、電子親和力が高い3原子分子の窒素分子が作成され、前記セシウムイオンと電子をやり取りすることによって、容易に負イオンを作成することができる。
Claim (excerpt)：
イオン化すべき気体が供給されるイオン生成室と、前記気体に電子を供給することができる媒体物質をイオン化するイオン化手段と、前記気体に、イオン化された媒体物質を接触させるステージと、前記ステージを前記気体の凝固点以下に冷却する冷却手段とを含むことを特徴とするイオン発生装置。
IPC (3)：
G21K 5/04
, C23C 14/32
, G21K 1/00
G21K 5/04 A
, C23C 14/32 B
, G21K 1/00 A
