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J-GLOBAL ID：200903092811100274

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 岡 崎 治 彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077477
Publication number (International publication number)：1999274562
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電極の半導体層への密着性向上、オーミック特性の改善、薄膜金属と透明電極の組み含わせによる外部量子効率の改善を実現することができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 パラジウム(Pd)、スカンジウム(Sc)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、銅(Cu)のいずれか元素からなる金属層と、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)のいずれかの元素からなる金属層とを積層することにより付着強度が高く、接触抵抗の低い電極を有する半導体発光素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に接触し、パラジウム(Pd)、スカンジウム(Sc)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、銅(Cu)よりなる群から選択された少なくともいずれか元素を主成分とした金属層と、を備え、前記金属層は、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、白金(Pt)よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素をさらに含有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E