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J-GLOBAL ID：200903092812160580

光半導体素子

Inventor： 坂田 肇
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025762
Publication number (International publication number)：1993188412
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】充分満足な性能を有する光変調器や波長可変フィルタなどとして用いられる光半導体装置である。【構成】積層された2層の半導体導波路1、2から構成される方向性結合器が構成され、これら2層の半導体導波路1、2を含む層構成がp-i-n-i-pもしくはn-i-p-i-n構造である。2層の半導体導波路1、2がともにi層で構成され、そしてp-i-n構造を通して独立に電圧印加制御される。使用する光が電流注入により増幅される第2の導波路2と、電圧印加又は電流注入により屈折率変化が起こって光フィルタリング制御ないし光変調などを行なう第1の導波路1とが別になっている。そのため、第1の導波路1の屈折率制御にともなう吸収率の変化が第2の導波路2における光増幅を用いて補償され、波長にかかわらず、常に、安定な透過利得を得ることができる。

Claim (excerpt)：

積層された2層の半導体導波路から構成される方向性結合器を有し、該2層の半導体導波路を含む層構成が、p-i-n-i-p構造およびn-i-p-i-n構造の一方であり、且つ前記2層の半導体導波路が共にi層で構成されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

G02F 1/35 ,  G02F 1/313 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-025420
  
• 特開平3-025420
  
• 特開平2-063012