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J-GLOBAL ID：200903092812713466

半導体発光素子

Inventor： 八木 克己 ,  狩野 隆司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198336
Publication number (International publication number)：1996064910
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 転位の発生が防止された半導体発光素子を提供することである。【構成】 n-SiC基板1上に、n-SiCクラッド層2、In1-x Gax N活性層3およびp-SiCクラッド層4が順に形成される。n-SiC基板1の材料としては、2H-SiC、4H-SiCまたは6H-SiCを用いる。In1-x Gax N活性層3におけるGa組成Xは、In1-x Gax N活性層13のバンドギャップがn-SiCクラッド層12およびp-SiCクラッド層14のバンドギャップよりも小さくなるように設定される。

Claim (excerpt)：

SiC基板上にSiCからなる第1のクラッド層、InGaNからなる活性層およびSiCからなる第2のクラッド層が順に形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-177577
  
• 特開昭58-046686
  
• 化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-131490   Applicant：株式会社東芝