半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005006242
Publication number (International publication number)：2006196654
Application date： Jan. 13, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】固有振動数が小さい振動子からなる振動発電素子などの振動素子を備えた半導体装置が容易に形成できるようにする。【解決手段】半導体集積回路などが形成されている基板101の上に、2つの固定電極部104とこれらの間に配置されて振動する金(Au)からなる振動電極部106とによる振動発電素子(振動素子)を備える。振動電極部106は、基板101の上に固定された支持部103に連結する支持梁105により、基板101の上に離間して張架されている。また、バネとして機能する支持梁105により張架されている振動電極部106は、固定電極部104の方向に変位(振動)可能とされている。これら支持梁105及び振動電極部106は、Auからなる一体の構造体として形成され、調和振動子として機能する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体集積回路が形成された半導体基板の上に配置された固定電極部と、前記固定電極部と離間して配置されて前記固定電極の方向に可動する振動電極部と、前記振動電極部と一体に形成されて前記振動電極部を張架する支持梁とを少なくとも備え、前記振動電極部と前記支持梁とは金属から構成され、前記振動電極部と前記支持梁とにより振動子が構成され、この振動子と前記固定電極部とにより振動素子が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (1)：

H01L27/04 B

F-Term (8)：

5F038BB01 , 5F038CD18 , 5F038DF01 , 5F038EZ01 , 5F038EZ11 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

マイクロガイド機構、マイクロアクチュエータおよびマイクロセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-019239 Applicant：キヤノン株式会社
静電容量型外力検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-024313 Applicant：株式会社村田製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-203612 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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