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J-GLOBAL ID：200903092817241651
炭素膜及びその形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230459
Publication number (International publication number)：1998072288
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】高硬度で、且つ、比較的膜厚が大きくても被成膜物品上に密着性良好に形成される炭素膜、及び高硬度な炭素膜を比較的膜厚を大きくしても被成膜物品上に密着性良好に形成することができる炭素膜の形成方法を提供する。【解決手段】薄膜状炭素層F1及びその外側に形成された微粒子状炭素層F2からなる炭素層単位Uが1つ形成された又は2以上積層された(図示の例ではn積層された)炭素膜C1、及びその形成方法。
Claim (excerpt)：
薄膜状炭素層及びその外側に形成された微粒子状炭素層からなる炭素層単位が1つ形成された又は2以上積層形成されたことを特徴とする炭素膜。
IPC (5)：
C30B 29/04
, C04B 41/89
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C23C 16/52
C30B 29/04 B
, C30B 29/04 W
, C04B 41/89 A
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C23C 16/52
