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J-GLOBAL ID：200903092821105894

ポスト・エッチ・フォトレジストおよび残留物の除去法

Inventor： カルロ ヴォルトフリート ,  テレサ ホープ バウサム ,  イワン ルイス ベリー 3世
Applicant, Patent owner： アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001096545
Publication number (International publication number)：2001313280
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するための改良されたプラズマアッシングプロセスを提供すること。【解決手段】 a.フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物をその上に有する基板を反応チャンバ中に配置し、b.CHF3をその一成分として含むプラズマガス組成物を添加することによって反応性化学種を形成し、c.その反応性化学種に、反応チャンバ中の基板の表面を暴露して、フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去する方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板15からフォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するためのプラズマアッシング方法であって、a.フォトレジストおよび/またはポスト・エッチ残留物をその上に有する少なくとも1枚の基板15を、反応チャンバ20の中に配置する段階と、b.CHF3をその一成分として含むプラズマガス組成物をプラズマに添加することによって反応性化学種を形成する段階と、c.前記反応性化学種に基板15の表面を暴露することによって、側壁ポリマー付着物を含むフォトレジストおよび/またはエッチ残留物を除去する段階を含む方法。