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J-GLOBAL ID：200903092824173157

透明導電積層体の製造方法

Inventor： 原 寛 ,  佐々木 毅 ,  坪井 誠治 ,  谷田部 俊明
Applicant, Patent owner： 帝人株式会社
Agent (1)： 前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998297946
Publication number (International publication number)：2000129427
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： May. 09, 2000
Summary：

【要約】【課題】 良好なエッチング特性を有する透明導電積層体を与える製造方法を提供する。【解決手段】 In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いた、DCマグネトロンスパッタリング法による透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比が0.03〜0.001の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分圧比が0〜10の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒量が5重量%以下である高分子フィルムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

Claim (excerpt)：

In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いた、DCマグネトロンスパッタリング法による透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比が0.03〜0.001の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分圧比が0〜10の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒量が5重量%以下である高分子フィルムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 H

F-Term (19)：

4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5F051BA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA04 ,  5F051GA05 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05