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J-GLOBAL ID：200903092825660663

プラズマエッチング方法及び装置

Inventor： 川副 重義 ,  野中 裕貴 ,  高堀 栄 ,  武藤 宏史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立サイエンスシステムズ
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183416
Publication number (International publication number)：1994029255
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造プロセスにおいて、プラズマエッチングのプラズマ中の荷電成分たるイオン(エッチング種)の密度を高めて良好な異方性エッチングを可能にすると共に、エッチング効率を向上させる。【構成】 放電室3に放電電極1,2が配置され、このうち一方の電極上に被エッチング加工物がセットされる。放電室3を真空装置7により低圧にしつつ供給配管8からHe又はNeを、供給配管11から反応ガス(プラズマ生成ガス)を供給して混合したガスを放電室3に送り、高周波電源6により、放電電極1,2を印加してプラズマを発生させる。He又はNeの供給の替わりに放電室3にHe又はNe放電管を設けて、これより生じる真空紫外光をプラズマ12に照射してもよい。

Claim (excerpt)：

減圧下で高周波放電によるプラズマを発生させて、目的物をエッチングするプラズマエッチング方法において、プラズマ源となる反応ガスにヘリウム(He)又はネオン(Ne)を混合し、この混合ガス雰囲気で放電させてエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46