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J-GLOBAL ID：200903092827848252
半導体装置におけるフィールド酸化膜形成方法、並びにフィールド酸化膜及びトレンチ素子分離領域形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994339208
Publication number (International publication number)：1996153779
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】シリコン半導体基板にダメージが発生することを防止でき、平坦化処理されたフィールド酸化膜の形成工程が増加することがないフィールド酸化膜形成方法を提供する。【構成】フィールド酸化膜形成方法は、(イ)シリコン半導体基板10の表面に選択酸化用マスク12を形成し、(ロ)選択酸化用マスク12で被覆されていないシリコン半導体基板10の表面を酸化してフィールド酸化膜13を形成し、(ハ)選択酸化用マスク12を研磨ストッパーとして、フィールド酸化膜13を研磨し、(ニ)選択酸化用マスク12を除去する各工程から成る。
Claim (excerpt)：
シリコン半導体基板に選択酸化法にてフィールド酸化膜を形成する方法であって、(イ)シリコン半導体基板表面に選択酸化用マスクを形成する工程と、(ロ)該選択酸化用マスクで被覆されていないシリコン半導体基板の表面を酸化してフィールド酸化膜を形成する工程と、(ハ)該選択酸化用マスクを研磨ストッパーとして、フィールド酸化膜を研磨する工程と、(ニ)選択酸化用マスクを除去する工程、から成ることを特徴とする半導体装置におけるフィールド酸化膜形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/762
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/316
H01L 21/76 D
, H01L 21/94 A
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