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J-GLOBAL ID：200903092831709984

プラズマCVD法及び装置

Inventor： 中東 孝浩
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994188090
Publication number (International publication number)：1996053767
Application date： Aug. 10, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】被成膜基体が効率良くしかも再現性良く洗浄され、また、基体を均一に洗浄できることにより、洗浄後の基体上に形成される膜の膜厚の面内均一性を向上させることができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 前処理用ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体Sを曝して基体Sを洗浄した後、成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体Sを曝して基体S上に膜形成を行うプラズマCVD法及び装置において、前処理用ガスのプラズマ化を、所定周波数の基本高周波電力に所定周波数の10分の1以下の周波数で振幅変調を重畳させた状態の高周波電力を印加することで行うことを特徴とするプラズマCVD法及び装置。

Claim (excerpt)：

前処理用ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに被成膜基体を曝して該基体を洗浄した後、成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに前記基体を曝して前記基体上に膜形成を行うプラズマCVD法において、前記前処理用ガスのプラズマ化を、所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10分の1以下の周波数で振幅変調を重畳させた状態の高周波電力を印加することで行うことを特徴とするプラズマCVD法。