薄膜トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青木朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048473
Publication number (International publication number)：1993251704
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタに関し、半導体層の反りやクラックの発生を防止することを目的とする。【構成】基板10上に設けられたゲート12と、該ゲートを覆うゲート絶縁層14,16と、該ゲート絶縁層を介して該ゲートと対向する半導体層18とを有し、該半導体層にハロゲン類が添加されている構成とする。

Claim (excerpt)：

基板(10)上に設けられたゲート(12)と、該ゲートを覆うゲート絶縁層(14,16)と、該ゲート絶縁層を介して該ゲートと対向する半導体層(18)とを有し、該半導体層にハロゲン類が添加されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-050873
特開昭62-098775
特開昭57-160123

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