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J-GLOBAL ID:200903092862033849

基板処理方法および基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 村上 智司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000372734
Publication number (International publication number):2002177840
Application date: Dec. 07, 2000
Publication date: Jun. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明の目的は、必要量のみの処理液の供給で均一な処理がなされる基板処理方法を提供することにある。また、本発明では、短時間で処理が進行するので、処理能力の向上を図ることもできる【解決手段】 基板Wを回転させながら、列状に配設された吐出穴11から基板W上に処理液を供給し、1つの吐出穴11から連続的に供給される処理液の水滴が、その隣りの吐出穴から連続的に供給される処理液の水滴とで表面張力により薄膜Rを形成し、該処理液の薄膜Rにより基板Wの処理を行なうことを特徴とする。
Claim (excerpt):
基板を回転させながら、列状に配設された吐出穴から基板上に処理液を供給し、1つの吐出穴から連続的に供給される処理液の液滴が、その隣りの吐出穴から連続的に供給される処理液の液滴とで表面張力により薄膜を形成し、該処理液の薄膜により基板の処理を行なうことを特徴とする基板処理方法。
IPC (8):
B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/00 ,  B05D 7/00 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 643
FI (9):
B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  B05D 3/00 B ,  B05D 7/00 H ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/304 643 C ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 569 C
F-Term (21):
2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025EA05 ,  4D075AC64 ,  4D075AC84 ,  4D075AC94 ,  4D075DA06 ,  4D075DC21 ,  4D075DC22 ,  4F041AA05 ,  4F041AA06 ,  4F041BA12 ,  4F041BA13 ,  4F042BA05 ,  4F042EB18 ,  5F046JA02 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA05 ,  5F046LA14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-045968   Applicant:東京エレクトロン株式会社

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