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J-GLOBAL ID：200903092865696407

シリコン結晶の液相成長方法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置

Inventor： 西田 彰志 ,  岩根 正晃 ,  水谷 匡希 ,  吉野 豪人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002294897
Publication number (International publication number)：2004131305
Application date： Oct. 08, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】連続成長が可能で量産性の高いシリコン結晶の液相成長法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置を提供する。【解決手段】溶媒104に基板102を浸漬または接触させることにより、基板102上にシリコン結晶を成長させるシリコン結晶の液相成長法において、原料及び/又はドーパントを含むガスにエネルギーを付与することによりガスの少なくとも一部を分解した後に、溶媒104に供給する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

溶媒に基板を浸漬または接触させることにより、該基板上にシリコン結晶を成長させるシリコン結晶の液相成長法において、 原料及び/又はドーパントを含むガスにエネルギーを付与することにより前記ガスの少なくとも一部を分解した後に、前記溶媒に供給することを特徴とするシリコン結晶の液相成長方法。

IPC (4)：

C30B29/06 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

FI (4)：

C30B29/06 501B ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 D ,  H01L31/04 X

F-Term (44)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EB04 ,  4G077EC03 ,  4G077EC04 ,  4G077EC09 ,  4G077EG09 ,  4G077EG18 ,  4G077EG22 ,  4G077EG26 ,  4G077EH07 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA27 ,  4G077QA29 ,  4G077QA38 ,  4G077QA56 ,  4G077QA58 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB05 ,  5F053AA03 ,  5F053AA26 ,  5F053BB08 ,  5F053BB38 ,  5F053BB53 ,  5F053BB54 ,  5F053BB57 ,  5F053BB59 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05