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J-GLOBAL ID：200903092867079006

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 森山 公一朗 ,  大利 博和 ,  青田 幸人 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128897
Publication number (International publication number)：1999040396
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 自動的にプラズマ放電を再現性良くかつ円滑に生起させ、安定なプラズマ放電を維持し、放電が消滅した場合にも速やかに再生起させる事ができるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 第2の高周波電力をインピーダンス整合器を介して処理室に導入したのち、処理時の電力よりも大きなマイクロ波電力を該処理室に導入してプラズマを生起する放電生起工程と、前記第1の高周波電力を処理時の値の近傍に低下させ、続いて第2の高周波電力を処理時の値の近傍に上昇させたのち、プラズマ強度が所定値になるように第1の高周波電力を調整する調整工程と、前記インピーダンス整合器を整合動作させ、プラズマ強度が処理時の目標値になるように第1の高周波電力を調整して、被処理基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。

Claim (excerpt)：

第1の高周波電力と該第1の高周波電力よりも周波数の低い第2の高周波電力とを用いてプラズマ処理する方法であって、処理時の電力よりも小さな第2の高周波電力をインピーダンス整合器を介して処理室に導入した後、処理時の電力よりも大きな第1の高周波電力を該処理室に導入してプラズマを生起する放電生起工程と、前記第1の高周波電力の大きさを処理時の値の近傍に低下させ、続いて前記第2の高周波電力の大きさを処理時の値の近傍に上昇させた後、プラズマ強度が所定値になるように前記第1の高周波電力の大きさを調整する調整工程と、前記インピーダンス整合器を整合動作させるとともに、プラズマ強度が処理時の目標値になるように前記第1の高周波電力の値を調整して、被処理基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B