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J-GLOBAL ID：200903092886272305
イオンビームスパツタ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
瀧野 秀雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991225658
Publication number (International publication number)：1993065637
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】立方晶窒化硼素(c-BN)の薄膜を基体表面に成膜するに際して、高真空で且つ低温プロセスにより、原材料の利用効率と合成プロセスの制御性の良い、しかも、被膜の密着性が優れ、機能向上に役立つイオンビームスパッタ装置を提供することを目的とする。【構成】真空容器1内にスパッタ用イオンビーム源5と、アシスト照射用イオン源12、及びh-BN焼結体ターゲットとAlターゲットとを特定の表面積比率で設けた二元素の複合ターゲット4とを配置し、前記スパッタ用イオンビーム源5からのイオンビームで前記複合ターゲット4表面の物質をスパッタ蒸発させて基体9に向かわせると共に、アシスト照射用イオン源12から窒素イオンを主とするアシストイオンで基体9表面を照射し、c-BN層とAlN層の傾斜組成を有する薄膜を基体9に形成する。
Claim (excerpt)：
真空容器内の真空度を調節できる真空排気系を設け、真空容器内にスパッタ用イオンビーム源と、アシスト照射用イオン源、及びh-BN焼結体ターゲットとAlターゲットとを特定の表面積比率で設けた二元素の複合ターゲットとを配置し、前記複合ターゲットに対向する位置に処理される基体を設け、前記スパッタ用イオンビーム源からのイオンビームで前記複合ターゲット表面の物質をスパッタ蒸発させて基体に向かわせると共に、アシスト照射用イオン源から窒素イオンを主とするアシストイオンで基体表面を照射し、c-BN層とAlN層の傾斜組成を有する薄膜を基体に形成することを特徴とするイオンビームスパッタ装置。
IPC (3)：
C23C 14/46
, C23C 14/06
, C23C 14/54
