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J-GLOBAL ID：200903092889952986

高抵抗シリコンウエハ-の製造方法

Inventor： 渡部 弘行 ,  滝田 政俊 ,  松村 光男 ,  松井 宏 ,  古瀬 信一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  信越半導体株式会社 ,  信越石英株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245152
Publication number (International publication number)：1993058788
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は抵抗値が10,000Ωcm以上である高抵抗値シリコンウエハ-をMCZ 法で製造する方法の提供を目的とするものである。【構成】 本発明による高抵抗値シリコンウエハ-の製造方法は、シリコン多結晶を合成石英ガラス製ルツボ中で融解し、この融液に磁場を与え、ここにシリコン単結晶を浸漬し引上げてシリコン単結晶を作り、このシリコン単結晶をスライスして抵抗率が10,000Ωcm以上のシリコンウエハ-を得ることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

シリコン多結晶を合成石英ガラス製ルツボ中で融解し、この融液に磁場を与え、ここにシリコン種結晶を浸漬し引上げてシリコン単結晶を作り、このシリコン単結晶をスライスして抵抗率が10,000Ωcm以上のシリコンウエハ-を得ることを特徴とする高抵抗シリコンウエハ-の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-006382