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J-GLOBAL ID：200903092890051054

シリコンウエ-ハおよびその洗浄方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  川合 幸夫 ,  遠藤 光弘 ,  石神 俊一郎
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995315938
Publication number (International publication number)：1998308373
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 表面のボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを提供する。デバイス工程での悪影響を排除する。ボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを作製する。【解決手段】 シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄した後、オゾンを3〜10ppm含む純水中に浸漬させる。好ましくは8ppmのオゾン水(超純水を電気分解したO2を原料とする)中に15秒間浸漬させる。この結果、表面に5〜7Åの厚さの自然酸化膜を形成し、自然酸化膜中のボロン濃度を1010個/cm2以下に管理したシリコンウェーハを得る。ボロン濃度の低減により、デバイス工程での悪影響が大幅に減少する。同時にウェーハ表面の金属汚染をも低減できる。Al,Fe,Cu等の濃度を109個/cm2未満に低減できる。また、張り合わせを良好に行える。VDMOSでのon抵抗を下げることもできる。

Claim (excerpt)：

表面に5〜7Åの厚さの自然酸化膜を形成したシリコンウェーハであって、この自然酸化膜中のボロン濃度を1010個/cm2以下に管理したシリコンウェーハ。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B