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J-GLOBAL ID：200903092896076199

半導体素子の製造法

Inventor： 今泉 充
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333868
Publication number (International publication number)：1997148624
Application date： Nov. 17, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【目的】 量子ドット構造を備える半導体素子の製造において、その特性の再現性を向上させる製造方法を提供する。【構成】 量子ドット構造における半導体微結晶を形成する際、有機金属化学気相成長法により、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が異なるものを選択し、半導体微結晶の成長直前に下地結晶をエッチングしてエッチピットを表面に形成する。

Claim (excerpt)：

大きさが電子のドブロイ波長程度の断面寸法を持つ微結晶と、ポテンシャルエネルギーが前記半導体微結晶のポテンシャルエネルギーよりも高くエネルギー障壁として機能する半導体にて前記半導体微結晶を囲んだ0次元量子井戸(以後量子ドットと称する)を備える半導体素子を有機金属化学気相成長法(以後MOCVD法と称する)により製造する場合において、微結晶の形成に際し、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が異なるものを選択し、かつ半導体微結晶の結晶成長直前に下地結晶表面をエッチングし、表面にエッチピットを形成させ、続いて半導体微結晶およびそれ以降の結晶を成長させることを特徴とする半導体素子の製造法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18