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J-GLOBAL ID：200903092897309456

キャパシタおよびその形成方法

Inventor： 垂井 康夫 ,  谷本 智
Applicant, Patent owner： 垂井 康夫 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993206187
Publication number (International publication number)：1995094678
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】リーク電流が極めて少ないキャパシタ薄膜を下部電極材料にかかわらず実現することの出来るキャパシタおよびその形成方法を提供する。【構成】下部電極上に化学気相成長(CVD)法によって誘電体膜を形成し、その後、上部電極を形成するキャパシタ膜形成方法において、上記誘電体膜もしくは上記下部電極にシリコン原子をイオン注入する工程?Cと、その後、活性酸素雰囲気中でアニールを施す工程?Dと、を付加したことを特徴とするキャパシタ膜形成方法。

Claim (excerpt)：

下部電極上に化学気相成長(CVD)法によって誘電体膜を形成し、その後、上部電極を形成するキャパシタの形成方法において、上記誘電体膜もしくは上記下部電極にシリコン原子をイオン注入する工程と、その後、活性酸素雰囲気中でアニールを施す工程と、を付加したことを特徴とするキャパシタの形成方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 49/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-071166
  
• 半導体集積回路用容量素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044405   Applicant：松下電器産業株式会社