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J-GLOBAL ID：200903092903976095

シリコンウエーハ表面の酸化膜の膜厚測定方法とその装置

Inventor： 宮本 和法 ,  福田 雅光 ,  佐山 恭正
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 大家 邦久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237769
Publication number (International publication number)：1994069303
Application date： Aug. 13, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウエーハ表面の酸化膜の膜厚測定【構成】 フッ酸濃度0.3〜3%、溶存酸素濃度0.2 ppm以下のフッ酸水溶液を用い、酸素濃度1%以下の非酸化性雰囲気下で、シリコンウエ-ハ表面の酸化膜をエッチングし、溶解したシリコン量から上記酸化膜の膜厚を算出する。【効果】 シリコンウエーハ表面の酸化膜を簡便に、かつ精度良く測定することができる。ウエ-ハ表面を部分的に測定するものではないので、局所的な測定誤差がなく、数オングストロームの極薄の酸化膜についても精度よい測定結果が得られる。さらに測定装置も簡略であり、従来のような大型の装置を必要としない。

Claim (excerpt)：

フッ酸濃度0.3〜3%、溶存酸素濃度0.2 ppm以下のフッ酸水溶液を用い、酸素濃度1%以下の非酸化性雰囲気下で、シリコンウエーハ表面の酸化膜をエッチングし、溶解したシリコン量から上記酸化膜の膜厚を算出することを特徴とする膜厚測定方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/08 ,  H01L 21/306