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J-GLOBAL ID：200903092914345909

シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法

Inventor： 宝来 正隆 ,  杉村 渉 ,  小野 敏昭 ,  田中 忠美
Applicant, Patent owner： 株式会社SUMCO
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004002239
Publication number (International publication number)：WO2004083496
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

本発明では、結晶中心部での温度勾配Gcが結晶外周部での温度勾配Geと同一かこれより大きくなるホットゾーン構造を用いて、CZ法によりGrown-in欠陥フリーのシリコン単結晶を育成する際に、水素を含む不活性ガスを引上げ炉内に供給し、且つ、リングOSF発生領域が結晶中心部で消滅する臨界速度の近傍で結晶引上げを行う。 本発明により、リングOSF領域が結晶中心部で消滅する臨界速度が上がり、as grownで結晶径方向全域に転位クラスタ及びCOPが存在しないGrown-in欠陥フリーの単結晶が、従来より高速の引上げにより育成可能となる。

Claim (excerpt)：

水素を含む不活性雰囲気中でCZ法により育成されたシリコン単結晶のウェーハであり、且つ、ウェーハ厚さ方向全域で結晶径方向の全域にCOPを含まない完全Grown-in欠陥フリーウェーハ、若しくはサイズが0.1μm以下のCOPまたはボイドが結晶径方向の少なくとも一部に存在する準Grown-in欠陥フリーウェーハであるシリコンウェーハ。

IPC (5)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12

FI (9)：

C30B29/06 A ,  C30B29/06 502H ,  C30B29/06 502J ,  C30B29/06 502K ,  C30B15/22 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/322 Y ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EB06 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077PF17