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J-GLOBAL ID：200903092919120794

電極の製造方法

Inventor： ギュンター イーゲル
Applicant, Patent owner： ミクロナス インテルメタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197458
Publication number (International publication number)：2000041671
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 尖端又はエッジの範囲に残るラッカ層を回避して、電気的に絶縁する表面範囲によって囲まれた導電性尖端又はエッジをその表面に有するマイクロ電極が製造できる、電極の製造方法。【解決手段】 基板(2)上に、少なくとも1つの尖端(3)又はエッジ(4)を有する表面構造が製造されている電極(1)の製造方法において、基板(2)に基板の表面に取付けるべき尖端(3)又はエッジ(4)に密に隣接して口を開いている供給通路(9)を持込み、この供給通路(9)を通して、尖端(3)又はエッジ(4)の所で出る、電磁及び/又は粒子ビームを照射すると、導電性物質を析出する化学品を供給し、かつこの化学品に、尖端(3)又はエッジ(4)の範囲において、電磁及び/又は粒子ビームを照射する。

Claim (excerpt)：

基板(2)上に少なくとも1つの尖端(3)又はエッジ(4)を有する表面構造が製造されている電極(1)の製造方法において、基板の表面に取付けられるべき尖端(3)又はエッジ(4)に密に隣接して口を開いている供給通路(9)を基板(2)に持込み、この供給通路(9)を通して、電磁及び/又は粒子ビームを照射すると、導電性物質、とくに金属を析出する、尖端(3)又はエッジ(4)の所で出る化学品を供給し、かつ尖端又はエッジの所で導電性物質を析出させるために化学品に、尖端(3)又はエッジ(4)の範囲において、電磁及び/又は粒子ビームを照射することを特徴とする、電極(1)の製造方法。

IPC (2)：

C12N 13/00 ,  G01N 27/30

FI (2)：

C12N 13/00 ,  G01N 27/30 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭62-218580
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-218580