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J-GLOBAL ID：200903092926051978

プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Inventor： 辻本 和典 ,  田地 新一 ,  伊澤 勝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996218282
Publication number (International publication number)：1998064881
Application date： Aug. 20, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 エッチングの活性種となるガスと堆積の活性種である添加ガスとを独立のガス導入配管5、7を用いてウエハに導入し、特に微量の流量制御が必要な添加ガスを、ウエハ-周囲であるウエハ直径の1/5未満の位置から導入してエッチングする。【効果】 独立のガス導入配管を用いるいことにより、活性種となるガスと添加ガスとを独立に制御できるため、エッチング形状の制御を容易に行える。また、ウエハ-近傍から添加ガスを供給することにより、大量な添加ガス供給による異物発生を防止でき、かつ添加ガスによる堆積を制御性よく行えるため、選択比も向上する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ-を処理する処理室と、エッチングの活性種である第1のガスを前記処理室内に導入する第1のガス導入配管と、堆積の活性種である第2のガスを前記処理室に導入する第2のガス導入管と、前記半導体ウエハ-から半導体ウエハ-の直径の1/5未満の距離内に設けられた前記第2のガス導入管の吹き出し口とを有することを特徴とするドライエッチング装置。