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J-GLOBAL ID：200903092932615891

バイアホールの形成方法

Inventor： 田中 隆 ,  吉澤 圭史 ,  河村 奈未
Applicant, Patent owner： 新日鐵化学株式会社
Agent (1)： 成瀬 勝夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996324449
Publication number (International publication number)：1998163627
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高い信頼性を有する回路基板を提供するため、多層配線板にレーザ加工法によりブラインドホールを形成するに際し、層間に絶縁性樹脂残渣等を残すことなく、もって効率的にバイアホールを形成する方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、第1の導体層、絶縁性樹脂層及び第2の導体層が逐次に積層されてなる多層配線板の第1の導体層をエッチングにより穿孔し、次いでレーザ加工によりブラインドホールを形成し、次いでブラインドホールに導電層を形成するバイアホールの形成方法において、レーザ加工したのちソフトエッチングするバイアホールの形成方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも、第1の導体層、絶縁性樹脂層及び第2の導体層が逐次に積層されてなる多層配線板の第1の導体層をエッチングにより穿孔し、次いでレーザ加工によりブラインドホールを形成し、次いでブラインドホールに導電層を形成するバイアホールの形成方法において、レーザ加工したのちソフトエッチングすることを特徴するバイアホールの形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

FI (5)：

H05K 3/40 Z ,  H05K 3/00 K ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X